Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Prozesstechnologie
0.18um to 2um
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
2.7
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
46@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
5@5V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
5
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
1.6
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
1.4
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
480@10V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
45@10V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Typische Ausgangskapazität (pF)
120
Max. Leistungsaufnahme (mW)
500
Typische Abfallzeit (ns)
4
Typische Anstiegszeit (ns)
13
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
15
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
6
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
37@10V|49@4.5V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
0.5
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
15
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
270
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.65
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2.6
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.6
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
2.7
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.94
Verpackungsbreite
1.4
Verpackungslänge
2.92
Leiterplatte geändert
3
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-23
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
Cantidad de Pedido