GP BJT

BUJ105AD,118

Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

WeEn Semiconductors Co., Ltd

Especificaciones técnicas del producto

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Unknown

• PPAP

  Unknown

• Typ

  NPN

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  700

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  400

• Operating Junction Temperature (°C)

  150

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.5@0.8A@4A

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1@0.8A@4A

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  8

• Max. Kollektorsperrstrom (nA)

  200000

• Mindestgleichstromverstärkung

  10@1mA@5V|13@500mA@5V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  80000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -65

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  2.38(Max)

• Verpackungsbreite

  6.22(Max)

• Verpackungslänge

  6.73(Max)

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  DPAK

• Stiftanzahl

  3