The ON Semiconductor MOSFETs have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. It has 1 number of elements per chip. The maximum Drain Source Voltage of the product is 50 V and Gate Source Voltage is ±20 V. Its maximum power dissipation is 360 mW. This MOSFET has an operating temperature range of -55°C to 150°C.
Features and Benefits:
• High density cell design for extremely low RDS(ON)
• Rugged and Reliable
• Compact industry standard SOT-23 surface mount package
Application:
• Small servo motor control
• Power MOSFET gate drivers
Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
50
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
0.22
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
0.5
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
3500@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
1.7@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
1.7
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.4
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
0.1
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
27@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
6@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.8
Typische Ausgangskapazität (pF)
13
Max. Leistungsaufnahme (mW)
360
Typische Abfallzeit (ns)
7
Typische Anstiegszeit (ns)
9
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
20
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
2.5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
700@10V|1000@4.5V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
0.36
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
0.88
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
350
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.8
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.4
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.3
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
0.22
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.94
Verpackungsbreite
1.3
Verpackungslänge
2.9
Leiterplatte geändert
3
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-23
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
Cantidad de Pedido