Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
EA
Automotive
Unknown
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.6
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
12
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
11@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
12.5@4.5V|25@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
25
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1725@50V
Typische Ausgangskapazität (pF)
360
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3100
Typische Abfallzeit (ns)
3.5
Typische Anstiegszeit (ns)
3
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
23
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
8.5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
9.2@10V|11.7@4.5V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.5
Verpackungsbreite
3.9
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOIC
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing
Cantidad de Pedido