MOSFETs

AOD4S60

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Alpha and Omega Semiconductor

Especificaciones técnicas del producto

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  Unknown

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  600

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±30

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  4

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  900@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  6@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  6

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  263@100V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  56800

• Typische Abfallzeit (ns)

  12

• Typische Anstiegszeit (ns)

  8

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  40

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  18

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  780@10V

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  2.29

• Verpackungsbreite

  6.1

• Verpackungslänge

  6.6

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  DPAK

• Stiftanzahl

  3