La DRAM pseudoestática (PSRAM), también conocida como RAM celular, es una familia de dispositivos de memoria de baja potencia diseñados para teléfonos móviles. La PSRAM ofrece interfaces SRAM y FLASH. En la era previa a los smartphones a mediados de la década de los 2000, la PSRAM estaba destinada a reemplazar la SRAM proporcionando una caché por bit de menor costo y una solución de memoria regulada. Las piezas de la PSRAM varían en capacidad de varios a cientos de megabits (Mb). La velocidad máxima para la PSRAM en el modo de interfaz síncrona es 133 MHz.

 

Esencialmente, la PSRAM envuelve las celdas DRAM en una interfaz SRAM o Flash. Debido a que las celdas DRAM son físicamente más pequeñas que las celdas SRAM, su producción puede ser más económica. Sin embargo, las celdas DRAM requieren una sobrecarga para asegurar la apropiada retención de datos, que están ocultas al usuario y son administradas por la PSRAM misma. La PSRAM puede funcionar en el modo de interfaz SRAM asíncrona simple. También puede configurarse para admitir la interfaz de explosión NOR Flash. La PSRAM incluso se fabrica para ser compatible con dispositivos SRAM

 

La iniciativa de crear la PSRAM fue liderada por compañías como Cypress Semiconductor Corporation, Micron Technology, Qimonda, Renesas Technology Corporation, Etron Technologies y Hynix Semiconductor. El grupo de trabajo ha estado mayoritariamente inactivo desde 2009.