Un transistor de efecto de campo de la compuerta de unión utiliza una estructura similar a un diodo entre la compuerta y el drenaje al canal de origen. Es un simple transistor de efecto de campo, que está dopado con un agente de dopaje tipo n o p. En un lado del transistor se utiliza un agente de dopaje opuesto para formar a una unión pn. Esto sirve como un mecanismo para controlar el flujo de corriente a través del transistor, además de proporcionar una alta impedancia de entrada al dispositivo, siempre y cuando la tensión de la compuerta se sesgue correctamente. Al igual que un diodo, una tendencia incorrecta en un JFETs puede causar una sobretensión no deseada a través de la compuerta.

Cuando la fuente y la compuerta están en la misma tensión, hay un flujo de corriente libre a través del transistor hasta las tolerancias del canal semiconductor. Para un transistor tipo n, es posible aplicar una tensión de alimentación de compuerta negativa a la compuerta, lo que comenzará a restringir el flujo de corriente hasta alcanzar un punto crítico cuando se haya formado una capa de agotamiento a través de todo el canal del transistor. Esto corta de forma efectiva el flujo de corriente del drenaje a la fuente, denominado valor de pinzamiento de VGS, y puede variar ampliamente de un transistor a otro. Los dispositivos JFETs tipo P tienen las mismas respuestas, pero a una tensión compuerta a fuente positiva, lo que crea una capa de agotamiento similar en el canal dopado opuesto de dichos dispositivos.