La memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) es un tipo de tecnología de memoria volátil. La gran mayoría de los sistemas informáticos utiliza DRAM para la memoria del sistema principal.

Casi todas las DRAM existen como un componente discreto en el sistema informático. El proceso de silicio de las DRAM está significativamente personalizado y, por lo tanto, no puede integrarse junto a la CPU. Existe una gran variedad de DRAM disponibles para satisfacer las diversas demandas del mercado. La memoria DDR de doble tasa de transferencia de datos es el tipo de DRAM que se encuentra más comúnmente las computadoras de escritorio y servidores. La DDR4 es la última generación de memoria DDR disponible. La DDR de baja potencia (LPDDR) es la tecnología de memoria preferida para los sistemas móviles e integrados; la LPDDR3 es la última generación. Las estaciones de trabajo con gráficos de alto rendimiento pueden utilizar gráficos de memoria DDR, como GDDR5, cuando la velocidad y el rendimiento son más importantes que un menor consumo de energía. Existen otros tipos de memoria DRAM disponibles.

Una celda DRAM es simplemente un capacitor de almacenamiento y un transistor de acceso. Para escribir un bit en una celda, las cargas del capacitor a través de la compuerta de acceso. La celda de la lectura se logra permitiendo que el capacitor de almacenamiento cargue o descargue la línea de bits asociada. Debido a que la lectura es destructiva, los datos leídos también deben escribirse de regreso en la celda apropiada. La DRAM también debe actualizar periódicamente sus matrices (del orden de los milisegundos) para evitar la pérdida de datos.