El RF MOSFETs es un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico que está diseñado para operar a altas frecuencias, típicamente entre 100 MHz hasta el rango de GHz. A menudo, para operar en estas altas frecuencias, el transistor debe permanecer en la región lineal, lo que significa que todavía está operando de forma similar a un resistor entre los contactos de drenaje y fuente. Si el dispositivo alcanza la saturación, la velocidad de operación se reduce.

La mayoría de los usos para los RF MOSFETs se encuentran en el modo de amplificación de potencia. En la operación de modo lineal, la señal de entrada normalmente no tiene que modificarse en gran medida. Esto significa que la señal de entrada a amplificar ajusta la corriente de salida que lleva la capacidad de drenaje a través de la fuente del MOSFETs proporcionalmente a sí mismo. 

Si el RF MOSFETs se utiliza como un dispositivo de conmutación, entonces se deben utilizar técnicas de modulación de ancho de pulso para traducir la señal a través del MOSFETs a la salida. Puesto que un modo de conmutación de encendido/apagado de un transistor no puede transportar directamente una señal de CA o sinusoidal de conmutación, los datos de la señal de entrada debe traducirse a datos de anchura de pulso, enviarse a través del amplificador MOSFETs y luego traducirse de nuevo a una señal de corriente alterna más fuerte.