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MOSFET

SSM3K336R,LF(B

Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F

Toshiba
Datasheets 

Product Technical Specifications
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    30
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Courant de drain continu maximal (A)
    3
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    95@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    1.7@4.5V
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    126@15V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    2000
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Installation
    Surface Mount
  • Largeur du paquet
    1.8
  • Longueur du paquet
    2.9
  • Carte électronique changée
    3
  • Conditionnement du fournisseur
    SOT-23F
  • Décompte de broches
    3

Documentation and Resources

Datasheets
Design resources