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Rectifiers

SIDC08D65C8X1SA2

Diode Switching 650V 30A 2-Pin Die Wafer

Infineon Technologies AG
Datasheets 

Product Technical Specifications
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.10.00.40
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    Switching Diode
  • Tension inverse CC maximale (V)
    650
  • Configuration
    Single
  • Tension inverse répétitive de crête (V)
    650
  • Courant avant continu maximal (A)
    30(Typ)
  • Tension directe de crête (V)
    1.87
  • Courant inverse de crête (uA)
    0.36
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -40
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    175
  • Emballage
    Wafer
  • Largeur du paquet
    2.3
  • Longueur du paquet
    3.46
  • Carte électronique changée
    2
  • Conditionnement du fournisseur
    Die
  • Décompte de broches
    2

Documentation and Resources

Datasheets
Design resources