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MOSFET

SI2374DS-T1-BE3

Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

Vishay
Datasheets 

Product Technical Specifications
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.21.00.95
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    20
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±8
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    1
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 150
  • Courant de drain continu maximal (A)
    5.9
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    30@4.5V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    7.7@4.5V|13.4@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    13.4
  • Barrière type pour drainer la charge (nC)
    1
  • Barrière type à la source de la charge (nC)
    1
  • Charge de récupération inverse type (nC)
    6
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    735@10V
  • Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
    40@10V
  • Tension seuil de barrière minimale (V)
    0.4
  • Capacitance type de sortie (pF)
    110
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    960
  • Temps de descente type (ns)
    10
  • Temps de montée type (ns)
    23
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    16
  • Délai type de mise en marche (ns)
    10
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
    31@1.8V|28@2.5V|25@4.5V
  • Dissipation de puissance maximale sur PCB @ TC=25°C (W)
    0.96
  • Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
    25
  • Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W)
    175
  • Tension type directe de diode (V)
    0.8
  • Tension de plateau de barrière type (V)
    1
  • Temps inverse de recouvrement type (ns)
    13
  • Tension maximale directe de diode (V)
    1.2
  • Résistance de barrière minimale (Ohm)
    0.12
  • Résistance de barrière maximale (Ohm)
    1.2
  • Tension maximale de source barrière positive (V)
    8
  • Courant maximal de drainage continu sur PCB @ TC=25°C (A)
    4.5
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1.02(Max)
  • Largeur du paquet
    1.4(Max)
  • Longueur du paquet
    3.04(Max)
  • Carte électronique changée
    3
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    SOT-23
  • Décompte de broches
    3

Documentation and Resources

Datasheets
Design resources