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MOSFET

IRFML8244TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Infineon Technologies AG
Datasheets 

Product Technical Specifications
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single
  • Technologie de traitement
    HEXFET
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    25
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Courant de drain continu maximal (A)
    5.8
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    24@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    5.4@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    5.4
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    430@10V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1250
  • Temps de descente type (ns)
    2.9
  • Temps de montée type (ns)
    2.1
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    9
  • Délai type de mise en marche (ns)
    2.7
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1.02(Max)
  • Largeur du paquet
    1.4(Max)
  • Longueur du paquet
    3.04(Max)
  • Carte électronique changée
    3
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    SOT-23
  • Décompte de broches
    3
  • Forme de sonde
    Gull-wing

Documentation and Resources

Datasheets
Design resources