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GP BJT

GRP-DATA-JANTX2N4150

Trans GP BJT NPN 70V 10A 1000mW 3-Pin TO-5

Semicoa Semiconductors
Datasheets 

Product Technical Specifications
  • RoHS (Union Européenne)
    Not Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    EA
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    NPN
  • Catégorie
    Bipolar Power
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Single
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension de base maximale du collecteur (V)
    100
  • Tension collecteur-émetteur maximale (V)
    70
  • Tension de base maximale de l'émetteur (V)
    10
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -65 to 200
  • Tension de saturation maximal d'émetteur de base (V)
    1.5@500mA@5A|2.5@1A@10A
  • Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)
    0.6@500mA@5A|2.5@1A@10A
  • Courant collecteur CC maximal (A)
    10
  • Courant de coupure de collecteur maximal (nA)
    10000
  • Gain de courant CC minimal
    10@10A@5V|50@1A@5V|40@5A@5V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1000
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -65
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    200
  • Échelle de température du fournisseur
    Military
  • Diamètre
    9.4(Max)
  • Installation
    Through Hole
  • Hauteur du paquet
    6.6(Max)
  • Carte électronique changée
    3
  • Nom de lemballage standard
    TO
  • Conditionnement du fournisseur
    TO-5
  • Décompte de broches
    3

Documentation and Resources

Datasheets
Design resources