Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
NRND
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±12
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
390@4.5V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
2.1@4.5V
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
150@10V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1000
Typische Abfallzeit (ns)
10
Typische Anstiegszeit (ns)
8
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
25
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
9
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.82(Max)
Verpackungsbreite
1.8(Max)
Verpackungslänge
2.1(Max)
Leiterplatte geändert
5
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
TUMT
Stiftanzahl
5
Bestellmenge