MOSFETs

TQM033NB04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 121A 8-Pin PDFN-U EP T/R Automotive AEC-Q101

Taiwan Semiconductor

Produktspezifikationen

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Catégorie

  Power MOSFET

• Configuration

  Single Quad Drain Triple Source

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  40

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±20

• Courant de drain continu maximal (A)

  121

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  3.3@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  64@7V|87@10V

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  4917@20V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  3100

• Temps de descente type (ns)

  23

• Temps de montée type (ns)

  24

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  49

• Délai type de mise en marche (ns)

  10

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  175

• Échelle de température du fournisseur

  Automotive

• Emballage

  Tape and Reel

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  1.05(Max)

• Largeur du paquet

  5.75(Max)

• Longueur du paquet

  5(Max)

• Carte électronique changée

  8

• Nom de lemballage standard

  DFN

• Conditionnement du fournisseur

  PDFN-U EP

• Décompte de broches

  8