Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
240
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
0.2
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
4000@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
4.87@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
4.87
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
1.53
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
0.56
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.8
Max. Leistungsaufnahme (mW)
360
Typische Abfallzeit (ns)
16
Typische Anstiegszeit (ns)
12
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
35
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
0.8
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.8
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.65
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.02(Max)
Verpackungsbreite
1.4(Max)
Verpackungslänge
3.04(Max)
Leiterplatte geändert
3
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-23
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
Bestellmenge