MOSFETs

TK20A60W,S5VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

Toshiba

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  600

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±30

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  3.7

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  20

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  1000

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  100

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  155@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  48@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  48

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  1680@300V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  45000

• Typische Abfallzeit (ns)

  6

• Typische Anstiegszeit (ns)

  25

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  15

• Verpackungsbreite

  4.5

• Verpackungslänge

  10

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-220SIS

• Stiftanzahl

  3