Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
800
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
9.5
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
1000
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
10
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
550@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
19@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
19
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1150@300V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
40000
Typische Abfallzeit (ns)
10
Typische Anstiegszeit (ns)
35
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tube
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
15
Verpackungsbreite
4.5
Verpackungslänge
10
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220SIS
Stiftanzahl
3