MOSFETs

TK100E08N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

Toshiba

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  NRND

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  80

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  214

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  3.2@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  130@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  130

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  9000@40V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  255000

• Typische Abfallzeit (ns)

  140

• Typische Anstiegszeit (ns)

  53

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Magazine

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  8.59

• Verpackungsbreite

  4.45

• Verpackungslänge

  10.16

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-220

• Stiftanzahl

  3