Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete-Unconfirmed
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
80
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
4@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
85@4.5V
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
5500@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
300000
Typische Abfallzeit (ns)
95
Typische Anstiegszeit (ns)
270
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
110
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
30
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-60
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tube
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
9.15(Max)
Verpackungsbreite
4.6(Max)
Verpackungslänge
10.4(Max)
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220AB
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole

