MOSFETs
STP36NF06L
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
STMicroelectronicsProduktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±18
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
30
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
40@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
13@5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
7.8
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
4.2
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
107
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
660@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
70@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Typische Ausgangskapazität (pF)
170
Max. Leistungsaufnahme (mW)
70000
Typische Abfallzeit (ns)
13
Typische Anstiegszeit (ns)
80
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
19
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
10
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Temperaturbereich Lieferant
Automotive
Verpackung
Tube
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
45@5V|32@10V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
120
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
4.2
Typische Sperrerholungszeit (ns)
55
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.5
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
18
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
9.15(Max)
Verpackungsbreite
4.6(Max)
Verpackungslänge
10.4(Max)
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220AB
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole

