Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete-Unconfirmed
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
600
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±25
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
23
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
150@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
62.5@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
62.5
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
2090@100V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
190000
Typische Abfallzeit (ns)
27
Typische Anstiegszeit (ns)
21.5
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
92
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
23.5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tube
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
9.15(Max)
Verpackungsbreite
4.6(Max)
Verpackungslänge
10.4(Max)
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220AB
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole