MOSFETs

STP22NM60N

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

STMicroelectronics

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  600

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±30

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  4

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  16

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  220@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  44@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  44

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  1330@50V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  125000

• Typische Abfallzeit (ns)

  38

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  74

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  11

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tube

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  9.15(Max)

• Verpackungsbreite

  4.6(Max)

• Verpackungslänge

  10.4(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-220AB

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole