Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
40
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
8
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
20.5@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
22@4.5V
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
2850@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2900
Typische Abfallzeit (ns)
19
Typische Anstiegszeit (ns)
47
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
148
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
43
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.95(Max)
Verpackungsbreite
3.3
Verpackungslänge
3.3
Leiterplatte geändert
8
Lieferantenverpackung
Power Flat EP
Stiftanzahl
8
Leitungsform
No Lead