Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Prozesstechnologie
STripFET
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
80
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
180
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
2.1@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
225@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
225
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
13600@50V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
315000
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.8(Max)
Verpackungsbreite
9.17(Max)
Verpackungslänge
10.4(Max)
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Lieferantenverpackung
H2PAK
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing