STD18N65M5|STMICRO|simage
STD18N65M5|STMICRO|limage
MOSFETs

STD18N65M5

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

STMicroelectronics
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant with Exemption
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    COMPONENTS
  • SVHC
    Yes
  • SVHC überschreitet Schwellenwert
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Power MOSFET
  • Konfiguration
    Single
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    650
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±25
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    5
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    15
  • Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
    100
  • Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
    1
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    220@10V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    31@10V
  • Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
    31
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    1240@100V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    110000
  • Typische Abfallzeit (ns)
    11
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    7
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    9
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    36
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Temperaturbereich Lieferant
    Industrial
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    2.4(Max)
  • Verpackungsbreite
    6.2(Max)
  • Verpackungslänge
    6.6(Max)
  • Leiterplatte geändert
    2
  • Tab
    Tab
  • Standard-Verpackungsname
    TO
  • Lieferantenverpackung
    DPAK
  • Stiftanzahl
    3
  • Leitungsform
    Gull-wing

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen