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MOSFETs

SSM6N7002CFU,LF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R

Toshiba
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    8541.29.00.55
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Small Signal
  • Material
    Si
  • Konfiguration
    Dual
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    2
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    60
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±20
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    2.1
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    0.17
  • Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
    2000
  • Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
    1
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    3900@10V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    0.27@4.5V
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    11@10V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    285
  • Typische Abfallzeit (ns)
    24
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    3
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    7
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    2
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    0.9
  • Verpackungsbreite
    1.25
  • Verpackungslänge
    2
  • Leiterplatte geändert
    6
  • Lieferantenverpackung
    US
  • Stiftanzahl
    6
Bestellmenge

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen