MOSFETs

SSM6J801R,LF

Trans MOSFET P-CH SiC 20V 6A 6-Pin TSOP-F T/R

Toshiba

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  SiC

• Konfiguration

  Single Quad Drain

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  P

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  20

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  6

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  6

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  32.5@4.5V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  12.8@4.5V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  840@10V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  3000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.8

• Verpackungsbreite

  2.2

• Verpackungslänge

  2.9

• Leiterplatte geändert

  6

• Standard-Verpackungsname

  SO

• Lieferantenverpackung

  TSOP-F

• Stiftanzahl

  6