MOSFETs

SSM3J35CT,L3F

Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R

Toshiba

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  NRND

• HTS

  8541.21.00.95

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Small Signal

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  P

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  20

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±10

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  1

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  0.1

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  10000

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  8000@4V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  12.2@3V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  100

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungsbreite

  1

• Verpackungslänge

  0.6

• Leiterplatte geändert

  3

• Lieferantenverpackung

  CST

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  No Lead