Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Triple
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N|P
Anzahl von Elementen pro Chip
3
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
10
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
140@4V@N Channel|140@10V@P Channel
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
460@10V@N Channel|1200@10V@P Channel
Max. Leistungsaufnahme (mW)
5000
Typische Abfallzeit (ns)
55@N Channel|100@P Channel
Typische Anstiegszeit (ns)
110@N Channel|170@P Channel
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
90@N Channel|180@P Channel
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
25@N Channel|50@P Channel
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-40
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
16
Verpackungsbreite
4.8
Verpackungslänge
31.5(Max)
Leiterplatte geändert
12
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
SIP
Lieferantenverpackung
SIP
Stiftanzahl
12
Leitungsform
Through Hole