Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
8541.29.00.95
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
5.6
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
25@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
16@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
16
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
4.4
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
2.7
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Typische Ausgangskapazität (pF)
100
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3800
Typische Abfallzeit (ns)
12
Typische Anstiegszeit (ns)
12
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
30
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
15
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
30@4.5V|21@10V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
3.8
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
30
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
81
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.75
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
3.8
Typische Sperrerholungszeit (ns)
45
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
8.7
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.07(Max)
Verpackungsbreite
3.05
Verpackungslänge
3.05
Leiterplatte geändert
8
Lieferantenverpackung
PowerPAK 1212 EP
Stiftanzahl
8
Leitungsform
No Lead