Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
6
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
22@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
18@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
18
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
5.3
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
3.4
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Typische Ausgangskapazität (pF)
110
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3300
Typische Abfallzeit (ns)
12
Typische Anstiegszeit (ns)
10
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
25
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
10
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
25@4.5V|18@10V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
40
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.8
Typische Sperrerholungszeit (ns)
50
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Mindest-Gate-Widerstand (Ohm)
0.5
Max. Gate-Widerstand (Ohm)
2.4
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.55(Max)
Verpackungsbreite
4(Max)
Verpackungslänge
5(Max)
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOIC N
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing