Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
NRND
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain
Prozesstechnologie
0.18um
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±12
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
5.97
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
60@4.5V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
7.53@4.5V|8.26@5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
2.37
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
1.53
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
9
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
610@10V
Typische Ausgangskapazität (pF)
132
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2000
Typische Abfallzeit (ns)
11
Typische Anstiegszeit (ns)
59
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
30
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
27
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
50@4.5V|69.2@2.7V|83@2.5V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1(Max)
Verpackungsbreite
1.65
Verpackungslänge
3.05
Leiterplatte geändert
6
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
TSOP
Stiftanzahl
6
Leitungsform
Gull-wing