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MOSFETs

SI1965DH-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R

Vishay
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    8541.29.00.55
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Power MOSFET
  • Konfiguration
    Dual
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    P
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    2
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    12
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±8
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    1.3
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    390@4.5V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    1.7@4.5V|2.8@8V
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    120@6V
  • Typische Ausgangskapazität (pF)
    41
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    740
  • Typische Abfallzeit (ns)
    10
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    27
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    15
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    12
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    1(Max)
  • Verpackungsbreite
    1.25
  • Verpackungslänge
    2
  • Leiterplatte geändert
    6
  • Standard-Verpackungsname
    SOT
  • Lieferantenverpackung
    SC-70
  • Stiftanzahl
    6
  • Leitungsform
    Gull-wing
Bestellmenge

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen