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MOSFETs

RS6R060BHTB1

Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R

ROHM Semiconductor
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant with Exemption
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    8541.29.00.55
  • SVHC
    Yes
  • SVHC überschreitet Schwellenwert
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Power MOSFET
  • Konfiguration
    Single Quad Drain Triple Source
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    150
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±20
  • Operating Junction Temperature (°C)
    150
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    60
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    21.8@10V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    30@6V|46@10V
  • Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
    46
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    2750@75V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    3000
  • Typische Abfallzeit (ns)
    25
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    15
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    58
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    24
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    1.05(Max)
  • Verpackungsbreite
    5.8(Max)
  • Verpackungslänge
    5(Max)
  • Leiterplatte geändert
    8
  • Standard-Verpackungsname
    SO
  • Lieferantenverpackung
    HSOP EP
  • Stiftanzahl
    8

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen