Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
40
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Operating Junction Temperature (°C)
150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
95
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
3.6@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
25@10V|12.5@4.5V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
25
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1580@20V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2000
Typische Abfallzeit (ns)
17
Typische Anstiegszeit (ns)
15
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
51
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
15
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.85(Max)
Verpackungsbreite
3.1(Max)
Verpackungslänge
3.3(Max)
Leiterplatte geändert
8
Lieferantenverpackung
HSMT EP
Stiftanzahl
8