Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
Yes
PPAP
Yes
Kategorie
Small Signal
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.4
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
0.5
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
1000
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
1500@4V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
1.15@5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.23
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
0.32
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
21@5V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
8.1@5V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.8
Typische Ausgangskapazität (pF)
19.7
Max. Leistungsaufnahme (mW)
830
Typische Abfallzeit (ns)
64.2
Typische Anstiegszeit (ns)
47.9
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
65.1
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
16.7
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Temperaturbereich Lieferant
Automotive
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
1500@2.5V|1000@4V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
0.83
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
1.7
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
300
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.65
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2.1
Typische Sperrerholungszeit (ns)
14
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
0.7
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
0.5
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.94
Verpackungsbreite
1.3
Verpackungslänge
2.9
Leiterplatte geändert
3
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-23
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing