Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
Yes
PPAP
Yes
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
14
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
9.2@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
4.5@4.5V|9.5@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
9.5
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
880@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3600
Typische Abfallzeit (ns)
2
Typische Anstiegszeit (ns)
25
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
42
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
6
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Temperaturbereich Lieferant
Automotive
Verpackung
Tape and Reel
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
14
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
3.6
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
42
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.9
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2.9
Typische Sperrerholungszeit (ns)
28
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.05(Max)
Verpackungsbreite
5.9
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
5
Lieferantenverpackung
SO-FL EP
Stiftanzahl
5
Leitungsform
Flat