Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Dual Dual Drain
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N|P
Anzahl von Elementen pro Chip
2
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±12
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
2.9@N Channel|2.2@P Channel
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
80@4.5V@N Channel|155@4.5V@P Channel
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
2.6@4.5V@N Channel|3@4.5V@P Channel
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
180@10V@N Channel|185@10V@P Channel
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1100
Typische Abfallzeit (ns)
3@N Channel|27@P Channel
Typische Anstiegszeit (ns)
9@N Channel|13@P Channel
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
10@N Channel|33@P Channel
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5@N Channel|7@P Channel
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.05 mm
Verpackungsbreite
1.65 mm
Verpackungslänge
3.05 mm
Leiterplatte geändert
8
Lieferantenverpackung
Chip FET
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Flat