MOSFETs

NTD4804NT4G

Trans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

onsemi

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  8541.29.00.95

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  30

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  2.5

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  19.6

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  4@11.5V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  30@4.5V|73@11.5V

• Typische Gate-Drain-Ladung (nC)

  13

• Typische Gate-Source-Ladung (nC)

  13

• Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)

  30

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  4490@12V

• Typische Ausgangskapazität (pF)

  952

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  2660

• Typische Abfallzeit (ns)

  5|8

• Typische Anstiegszeit (ns)

  20|19

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  24|35

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  10|18

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  2.38(Max)

• Verpackungsbreite

  6.22(Max)

• Verpackungslänge

  6.73(Max)

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  DPAK

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Gull-wing