Bipolar Transistoren General Porpose

NSS40301MDR2G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R

onsemi

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.21.00.75

• Automotive

  Yes

• PPAP

  No

• Typ

  NPN

• Kategorie

  Bipolar Small Signal

• Konfiguration

  Dual Dual Collector

• Anzahl von Elementen pro Chip

  2

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  40

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  40

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  6

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.9@0.01A@1A

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.115@0.2A@2A|0.115@0.01A@1A|0.06@0.1A@1A|0.011@0.01A@0.1A

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  3

• Max. Kollektorsperrstrom (nA)

  100

• Mindestgleichstromverstärkung

  180@2A@2V|180@1A@2V|200@500mA@2V|200@10mA@2V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  783

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.5(Max)

• Verpackungsbreite

  4(Max)

• Verpackungslänge

  5(Max)

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  SO

• Lieferantenverpackung

  SOIC N

• Stiftanzahl

  8

• Leitungsform

  Gull-wing