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MOSFETs

NDS7002A

Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R

onsemi
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Small Signal
  • Konfiguration
    Single
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    60
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±20
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    2.5
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -65 to 150
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    0.28
  • Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
    100
  • Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
    1
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    2000@10V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    40@4.5V|0.6@10V
  • Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
    0.6
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    20@25V
  • Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
    4@25V
  • Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
    1
  • Typische Ausgangskapazität (pF)
    11
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    300
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -65
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
    1200@10V|1700@5V
  • Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
    20
  • Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
    1.5
  • Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
    0.88
  • Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
    4.5
  • Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
    1.2
  • Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
    2.1
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    0.94
  • Verpackungsbreite
    1.3
  • Verpackungslänge
    2.9
  • Leiterplatte geändert
    3
  • Standard-Verpackungsname
    SOT
  • Lieferantenverpackung
    SOT-23
  • Stiftanzahl
    3
  • Leitungsform
    Gull-wing

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen