DRAM

MT53E1G32D2FW-046 WT:B

DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray

Micron Technology

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8542.32.00.36

• Automotive

  Unknown

• PPAP

  Unknown

• Typ

  Mobile LPDDR4 SDRAM

• Dichte (bit)

  32G

• Organisation

  1Gx32

• Zahl der internen Banken

  8

• Anzahl der Worte pro Bank

  128M

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  32

• Datenbusbreite (bit)

  32

• Max. Taktfrequenz (MHz)

  4266

• Max. Zugriffzeit (ns)

  3.5

• Adressbusbreite (bit)

  19

• Schnittstellenart

  LVSTL

• Mindestbetriebsspannung (V)

  1.06|1.7

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  1.17|1.95

• Max. Betriebsstrom (mA)

  400

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -25

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  85

• Anzahl der E/A-Leitungen (bit)

  32

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.69

• Verpackungsbreite

  10

• Verpackungslänge

  14.5

• Leiterplatte geändert

  200

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  TFBGA

• Stiftanzahl

  200

• Leitungsform

  Ball