Bipolar Transistoren General Porpose

MSD602-RT1G

Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R

onsemi

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  NPN

• Kategorie

  Bipolar Small Signal

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  60

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  50

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  7

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1@30mA@300mA

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.6@30mA@300mA

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  0.5

• Mindestgleichstromverstärkung

  40@500mA@10V|120@150mA@10V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  200

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.09

• Verpackungsbreite

  1.5

• Verpackungslänge

  2.9

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  SOT

• Lieferantenverpackung

  SC-59

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Gull-wing