GP BJT

MPSW06RLRAG

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R

onsemi

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  COMPONENTS

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  NPN

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  80

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  80

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  4

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.2@250mA

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.4@10mA@250mA

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  0.5

• Max. Kollektorsperrstrom (nA)

  100

• Mindestgleichstromverstärkung

  80@50mA@1V|60@250mA@1V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  7.87(Max)

• Verpackungsbreite

  4.19(Max)

• Verpackungslänge

  5.21(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-92

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole