Bipolar Transistoren General Porpose

MJD44H11T4

Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

STMicroelectronics

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  NPN

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  80

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  5

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.5@0.8A@8A

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1@0.4A@8A

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  8

• Mindestgleichstromverstärkung

  60@2A@1V|40@4A@1V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  20000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Temperaturbereich Lieferant

  Industrial

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  2.4(Max)

• Verpackungsbreite

  6.2(Max)

• Verpackungslänge

  6.6(Max)

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  DPAK

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Gull-wing