Speichermodule

M470L6524DU0-CB3

DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200USODIMM

Samsung Electronics
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    4A994a.
  • Part Status
    Obsolete
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Hauptkategorie
    DRAM
  • Unterkategorie
    DDR SDRAM
  • Gesamtdichte
    512Mbyte
  • Organisation
    64Mx64
  • Modulart
    200USODIMM
  • Chipanzahl pro Modul
    8
  • Chip-Dichte (bit)
    512M
  • Datenbusbreite (bit)
    64
  • Max. Zugriffzeit (ns)
    0.7
  • Max. Taktfrequenz (MHz)
    333
  • Chip-Konfiguration
    32Mx16
  • Chip-Verpackungsart
    66TSOP-II
  • Mindestbetriebsspannung (V)
    2.3
  • Typische Betriebsversorgungsspannung (V)
    2.5
  • Max. Betriebsversorgungsspannung (V)
    2.7
  • Max. Betriebsstrom (mA)
    1000
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    0
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    70
  • Temperaturbereich Lieferant
    Commercial
  • Modulseiten
    Double
  • ECC-Unterstützung
    No
  • Anzahl der Reihen
    Dual
  • CAS-Latenz
    2.5
  • PLL
    No
  • SPD EEPROM-Unterstützung
    Yes
  • Selbstauffrischung
    Yes
  • Auffrischungszyklen
    8K
  • Befestigung
    Socket
  • Verpackungshöhe
    31.75
  • Verpackungsbreite
    3.8(Max)
  • Verpackungslänge
    67.6
  • Leiterplatte geändert
    200
  • Standard-Verpackungsname
    SOD
  • Lieferantenverpackung
    USODIMM
  • Stiftanzahl
    200
  • Leitungsform
    No Lead

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen