Bipolar Transistoren General Porpose

JANTXV2N2222AUB

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB

Semicoa Semiconductors

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Not Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.21.00.95

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  NPN

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  75

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  50

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  6

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  0.8

• Mindestgleichstromverstärkung

  50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30@500mA@10V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  500

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -65

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  200

• Temperaturbereich Lieferant

  Military

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.42(Max) mm

• Verpackungsbreite

  2.74(Max) mm

• Verpackungslänge

  3.25(Max) mm

• Leiterplatte geändert

  4

• Lieferantenverpackung

  Case UB

• Stiftanzahl

  4