Bipolar Transistoren General Porpose

JANTX2N4150

Trans GP BJT NPN 70V 10A 1000mW 3-Pin TO-5

Semicoa Semiconductors

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Not Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  JANTX2N4150

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  NPN

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  100

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  70

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  10

• Operating Junction Temperature (°C)

  -65 to 200

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.5@500mA@5A|2.5@1A@10A

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.6@500mA@5A|2.5@1A@10A

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  10

• Max. Kollektorsperrstrom (nA)

  10000

• Mindestgleichstromverstärkung

  50@1A@5V|40@5A@5V|10@10A@5V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -65

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  200

• Temperaturbereich Lieferant

  Military

• Durchmesser

  9.4(Max)

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  6.6(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-5

• Stiftanzahl

  3